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IBM发布世界上最快的硅晶体管
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2001年07月03日17:36
近日，IBM在美国宣布，它已经制造出世界上速度最快的硅晶体管。该晶体管应用革新设计和IBM的硅锗技术，达到210GHz的处理速度只需一毫安电流。这意味着它比当前设计提高了80%的性能而且减少了50%的能量消耗。同时，IBM还预测新型晶体管将在两年之内用于通信芯片的制造，速度达到100GHz——这比近期发布的同类产品速度快5倍，而且时间提前了4年。 “正如人们曾经认为飞机不可能突破假想的声速限制，硅芯片也曾经被认为不可能超越200GHz的速度极限。”IBM通信研发中心的副总裁Bernard Meyerson说：“高性能电子设备比如网络装置，不必再使用特殊的昂贵的原料去达到这个速度。未来，硅作为芯片制造首选媒介的地位将依然稳固。” 晶体管处理速度很大程度上取决于电流通过的速度，而这依靠晶体管所使用的材料和电流必须经过的距离。标准晶体管由普通硅制造。1989年，IBM在普通硅材料中引进了锗以加快电流速度，这一改进提高了性能也减少了能量消耗。 另一方面，IBM对晶体管设计做了改进。在标准晶体管中，电流水平运动，晶体管必须越来越薄才能缩短电流路径——这在今天的芯片制造技术中，可谓难度日益增加，而效果却不断递减。IBM硅锗设备是一种称为“异质连接双极晶体管”的交替晶体管设计，电流在其中流动的方向是垂直的。在IBM硅锗设备制造中，通过把硅锗层变薄，晶体管的厚度很容易减小，从而缩短电流路径，提高性能。
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