|
DDR vs RAMBUS (上)
【原创】阅读
人次
2001年06月18日14:38
【文章简介】
群雄逐鹿,看谁问鼎天下,内存的发展,如今已步入乱世,DDR内存和RAMBUS之争关系到Intel和AMD两霸主的前途,更关系到各家主板厂商(或芯片组厂商)的生死存亡,人们完全有理由提出这么一个问题:作为PC133的继任者,DDR和RAMBUS哪为更合适呢? (3520 字) |
从技术的角度上讲,新一代内存的推出恰恰是因为内存带宽无法满足日益增长的CPU频率的快速增长。举例说明: 在CPU100外频时,内存总线与系统总线保持同步,这时SDRAM(同步动态随机存储器,Sybnchronous DRAM)总带宽为800MB/s 当CPU上升到133FSB时(如PⅢEB和新Athlon),内存带宽是1064MB/s。
这个带宽够了吗?我们的回答是否定的,因为PC至少需要1GB/s的带宽才能满足高性能CPU的需求,同时,AGP 4X总线也需要1GB/s的带宽,33 MHz的PCI总线约需132MB/s的带宽,加起来总共是2.1GB/s的带宽需求,是目前PC133内存(SDRAM)所能提供的带宽的两倍。 两种内存的介绍 要提升内存带宽,必须用全新技术武装起来的新型内存: 其一是:
DDR(Double Data Rate)SDRAM ,也称SDRAM Ⅱ,是目前SDRAM的更新产品。它是由VIA、IBM、AMD等一大批原来 PC133 SDRAM标准的倡导者们,于1998年12月正式确定的完全开放式新一代内存规范(大家都能生产,不用交什么该死的权利金,呵呵),而此时正是英特尔全力推广RDRAM技术的时候。在几个月后(1999年的5月),第一批184pin DDR SDRAM DIMM模组正式获得了认可,同时,DDR SGRAM 的开发也已经接近了尾声。在此期间也出现过一些其它提高内存性能的技术,比如透过给SDRAM增加SRAM缓冲的ESDRAM,以及优化了工作方式的VCM SDRAM等,但很遗憾的是这些技术的效果并不明显。唯一能称为DDR真正对手的只有RDRAM,这项由Rambus公司独揽,Intel强力支持的,"全新"架构的内存技术。不可否认,RDRAM 在高工作频率、高带宽、高持续传输率方面的优势是DDR SDRAM所不具备的。但从制造工艺、生产成本、专利费用以及对传统产品的兼容性等方面看,这一新技术也有很多先天的不足。况且,在一般的桌面系统中,对大多数应用程序内存的低响应时间比高带宽方案工作得更有效,响应时间将更决定系统的效率和整体性能,而这却恰恰是DDR的优势所在。 DDR的核心建立在SDRAM的基础上,但在速度和容量上有了提高。首先,它使用了更多、更先进的同步电路。其次,DDR使用了Delay-Locked Loop (DLL,延时锁定回路)来提供一个数据滤波信号(DataStrobe signal)。当数据有效时,存储器控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16位输出一次,并且同步来自不同的双存储器模块的数据。总体来说,DDR属于管道式、多Bank架构的高带宽内存。 DDR 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,因为它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准同频率SDRAM的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同,仍在时钟上升沿进行传输。换言之,对于今日的64bit系统总线而言,DDR能够在每个时脉传送两个8-Bytes(即16Bytes)的数据包。 我们可以计算一下,在100MHz下DDR SDRAM可提供100MHz×2×8 Byte=1.6GB/s的数据传输率,133MHz下则可达到2.1GB/s。(每秒2128MB) 此外,传统SDRAM的DQS接脚则用来在写入数据时(单向:内存控制器DRAM)做数据遮罩(Data Mask)用。由于数据、数据控制信号(DQS)与DM同步传输,不会有某个数据传输较快,而另外的数据传输较慢的skew(时间差)以及Flight Time(控制信号从内存控制器出发,到数据传回内存控制器的时间)不相同的问题。此外,DDR的设计可让内存控制器每一组DQ/DQS/DM与DIMM上的颗粒相接时,维持相同的负载,减少对主板的影响。在内存架构上,传统SDRAM 属于×8组式,即内存核心中的I/O寄存器有8位数据I/O,但对于×8组的DDR SDRAM而言,内存核心中的I/O寄存器却是16位的,即在时钟信号上升沿时输出8位数据,在下降沿再输出8位数据,一个时钟周期总共可传输16位数据。为了保持较高的数据传输率,电气信号必须要求能较快改变,因此,DDR改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。尽管DDR的内存条依然保留原有的尺寸(5.25英寸),但是插脚的数目已经从168PIN增加到184PIN了,且内存条的凹位也因此而移到了新的位置,你根本无法把这些DIMM的DDR SDRAM插到现今的插槽中去--这有赖于新型主板的支持。 DDR分为两种主要型号,DDR-200和DDR-266,其中DDR-200即100MHZ的物理频率,标准工作频率为100MHz/CAS=2 ,而当CAS降低为2.5时,工作频率可达到 125MHz,即等效于DDR-250。而DDR-266则又按CAS延迟时间不同,分为A级:标准CAS=2个时钟周期,标准工作频率为133MHz,当CAS降低为2.5时,工作频率可达到143MHz。B级:标准CAS =2.5个时钟周期,标准工作频率为133MHz,而当CAS提升为2时,工作频率只能达到100MHz。这虽然是为内存厂商提供更灵活的生产工艺而设计的,但也给一些JS今后造假留下了可乘之机,KingMAX是严格按照规定划分自己的产品。按照JEDEC(联合电子元件工程会议)规定,DDR内存的命名,按照芯片颗粒可分为DDR-200、DDR-266A、DDR-266B,主要仍以66 Pin的TSOP-Ⅱ封装为主。但对于模组(Module,即我们平时所说的内存条)命名则应依照其传输速率来划分为1.6GB/s的 PC- 1600和2.1 GB/s的PC-2100。此外还有一种专为小型系统(Small Systems,如我们常见的显卡)所定义的特殊规格,主要采用100 Pin的TQFP封装格式,它也是按其工作频率将其命名为SS-333和SS-400。 严格地讲,最新的3D显卡如GeForce GTS、Radeon 其实才是DDR内存技术最早、最大受益者,这也在很多相关测试报告中早已得到证实。但这与我们今天所讨论的DDR内存模组完全是两回事,毕竟一套完整的计算机系统远比一款显卡要复杂、庞大得多,因而你也不能指望DDR内存对系统整体性能的提升会象在显卡上一样明显。那么在系统领域,究竟谁又会是DDR模组的第一个受益者呢?Intel还是AMD?这个问题比较有意思。在AMD K7推出之际,其突破性地导入了来自Alpha 处理器EV6协议的DDR FSB技术,引起了人们广泛的注意,人们随即开始讨论如何才能真正发挥200MHz FSB(DDR)的作用。而在K7系统上,直到去年10月30日AMD 760发布之前,我们却仍迟迟没有见到它的影子。相比之下,在PⅢ系统中DDR的发展倒是非常的顺利,尽管缺少了Intel自己的配合,Micron 和 VIA还是先后为PⅢ插上了DDR这只美丽的翅膀,比如威盛的Apollo Pro 266。这样,似乎Intel才是DDR真正的第一个受益者。从技术角度分析,短期内无论是Intel还是AMD,CPU 64Bit的数据宽度显然是不会变的(这可不象显示芯片那么灵活了),那么CPU的实际带宽就等于 FSB×64Bit/8。对于Intel 133FSB的PⅢ来说,这个带宽为1.064GB/s,而对于 AMD 200 FSB(DDR)的K7来说,则是1.6GB/s,对于新的AMD 266 FSB Athlon CPU来说,内存带宽正好是量身定制的2.1G,而目前DDR内存所提供的带宽将是1.6~2.1GB/s,所以DDR内存和AMD CPU正是鸳鸯配。 如果抛开被视为鸡肋的AGP内存不谈,计算机中和内存进行数据交换量最大的部分当属CPU,和当前最常用的 PC133 SDRAM 的 1.064 GB/s带宽相比,2.1GB/s 带宽的K7显然比P3更有虎落平阳的感觉。这对Intel并不是很大的问题,这一点从我们先前对PC150和PC133、PC100内存对比测试就已经得到了证实。测试结果清楚地显示,对于相同的133HMz FSB,PC150 对性能的提升极为有限,远不如单独提高FSB(保持主频不变的情况下)的效果明显,表明对于P3系统,瓶颈应该是在FSB上而非内存带宽上,所以,就上面的分析来看,真正能够体现DDR内存性能的应该是AMD的K7,而对Intel PⅢ的拥护者,性能的提升也许并不如您期望的那样明显(正如国外许多专业媒体披露的测试结果一样), Rambus(RDRAM):这是Rambus公司开发的从芯片到芯片接口设计的新型串行结构的DRAM。它能在很高的时钟频率范围下通过一个简单的总线传送数据。Intel公司推广的是Direct RDRAM,具有300~400MHz的工作速度,它引入了处理器设计中的RISC思想,依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量,在时钟的上升和下降沿同时进行数据传送。因此相当于600~800的速度。数据传送带宽为16位。以PC800 RAMBUS为例,它的实际数据传输率为400MHz×2×2Byte=1.6GB/s,168Pin管脚,1.8或2.5伏电压。 DRDRAM的不足主要有以下几点,首先DRDRAM对生产制造的工艺水平要求非常高,相对于DDR,更像是系统级的设计,这使得工艺非常复杂,所以它的成品率就很低,使得它的价格太过昂贵,其次,由于生产DRDRAM和传统的SDRAM内存生产线不兼容,要想生产DRDRAM必须重建昂贵的新生产线,这个巨大的投资是大多数芯片生产厂商要好好掂量掂量的,再次是其它内存厂家就是想投资生产DRDRAM,还需要向RAMBUS公司缴纳一笔可观的技术授权费用,所以很多人都"敢怒不敢言"哦!他们都希望开发和推广另外的内存标准。目前除了Intel外,也很少有支持DRDRAM的芯片组和主板。 如果还是不清楚地话,下表详细说明几种内存之间的不同:  外形上主要是PCB板SDR有168针和两个缺口,DDR为184针和1个缺口,且缺口在中间,至于DDR,因为有金属外壳屏蔽采用microBGA封装技术,所以一看就很容易区别,在此不多提了。 [未完待续]
【作者:小熊在线-笨笨熊 北京】 版权作品
未经许可 请勿转载
|