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DDR、RDRAM纷推新世代技术 主流市场之争扩大战场
【新闻稿】
2001年02月14日14:20
【文章简介】
随DDR SDRAM与Direct Rambus DRAM（RDRAM）在PC用记忆体争逐主流地位，双方阵营亦不停歇地加紧下世代技术的研发，其中，DDR阵营已打出DDR-Ⅱ名号……
随DDR SDRAM与Direct Rambus DRAM（RDRAM）在PC用记忆体争逐主流地位，双方阵营亦不停歇地加紧下世代技术的研发，其中，DDR阵营已打出DDR-Ⅱ名号，利用QDR（Quad Data Rate）技术，传输量是既有DDR SDRAM的2倍、一般SDRAM的4倍；Rambus阵营则提出QRSL（Quad Rambus Signaling Level）技术，为RSL技术的再升级，传输量亦是既有RDRAM的2倍。 为延续竞争力，三星电子、现代电子、美光科技等记忆体制造大厂，此际均着手上述新世代记忆体的发展，且透过电子元件评议会（JEDEC）统一制订规格。 就DDR SDRAM未来发展来看，目前虽仅PC1600（200MHz）和PC2100（266MHz）等几型产品，但近日在威盛邀集各大记忆体厂商和超微召开的DDR平台高峰会议上，三星、现代等已表明要推出PC2400（300MHz）和PC2700（333MHz）型後续产品计画，传输量将分别上看2.4G（300MHz×64bit＿8bit）与2.7G。 而JEDEC正式规格出炉後，DDR SDRAM的工作时脉与传输量将分别推进至400～800MHz与3.2～6.4G，名称也将改作QDR SDRAM。 RDRAM方面，握有源泉技术的Rambus继稍早发表过QRSL技术後，近期进一步在国际固态电路会议（ISSCC）中，展示传输量提升25％的新技术，较现行1.6G高出甚多，达2.2G。该公司表示，新技术中因使用DLL（Delay-Lock Loop）技术，故能大幅提升传输品质，若再配合晶片尺寸封装（CSP），则还可扩大至2.6G
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